Транзистор N-MOSFET Toshiba SSM3K36FS,LF(T, SMD, 20В, 0,5А, комплект 70 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM078626
Транзистор N-MOSFET Toshiba SSM3K36FS,LF(T, SMD, 20В, 0,5А, комплект 70 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, з багатим каналом
- Корпус: SSM, монтаж SMD
- Максимальна напруга стік-виток: 20 В
- Постійний струм стоку: 0,5 А (імпульсний до 1 А)
- Розсіювана потужність: 0,15 Вт
- Комплект: 70 штук
Основні електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з багатим каналом. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 20 В, а постійний струм стоку — 0,5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 1 А.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SSM для поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє розміщувати транзистори безпосередньо на друкованій платі без свердління отворів. Опір у відкритому стані становить 1,52 Ом.
Потужність та напруга затвора
Максимальна розсіювана потужність компонента становить 0,15 Вт. Це визначає тепловий режим роботи транзистора при навантаженні. Напруга на затворі обмежена значенням ±10 В, що є типовим параметром для керування MOSFET-транзисторами низької потужності.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.15 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1520 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SSM |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴