Транзистор N-MOSFET Vishay SQM120N10-3M8_GE3, 100В, 120А, D2PAK (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SQM120N10-3M8_GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 120 А при напрузі 100 В. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі D2PAK (TO263) для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стіка: 120 А
• Потужність розсіювання: 375 Вт
• Опір у відкритому стані: 3,8 мОм
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 120 А. Потужність розсіювання становить 375 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 3,8 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а повний заряд затвора — 125 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі D2PAK, який також відомий як TO263. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).