Транзистор N-MOSFET VISHAY SQJ974EP-T1_GE3, 100V, 17A, PowerPAK SO8 (комплект 20 шт.)

Комплект із 20 транзисторів VISHAY SQJ974EP-T1_GE3 — це подвійні N-MOSFET транзистори з технологією TrenchFET®, розраховані на напругу 100 В та струм 17 А. Вони виконані у компактному корпусі PowerPAK® SO8.

• Подвійний N-MOSFET транзистор (2 в 1) у одному корпусі
• Максимальна напруга стік-витік 100 В
• Струм стіка 17 А
• Опір у відкритому стані 25,5 мОм
• Корпус PowerPAK® SO8 для SMD монтажу
• Комплект із 20 транзисторів

Опір та заряд затвора

Завдяки низькому опору у відкритому стані 25,5 мОм, транзистори мінімізують втрати енергії та нагрівання під час роботи. Це дозволяє використовувати їх у схемах із високими струмовими навантаженнями без надмірного перегріву. Заряд затвора становить 15 нК.

Корпус PowerPAK® SO8

Транзистори виконані у корпусі PowerPAK® SO8, що забезпечує компактність вузла. Монтаж поверхневий (SMD), що спрощує виробництво та ремонт електронних модулів.

Уніполярна структура

Транзистори є уніполярними з каналом збагачення. Максимальна розсіювана потужність становить 16 Вт. Напруга затвор-витік ±20 В. Комплект із 20 штук зручний для серійного виробництва або запасу для майстерні.