Транзистор P-MOSFET Vishay SQD40031EL_GE3, -30В, -94А, DPAK (10 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SQD40031EL_GE3 — це уніполярний компонент у корпусі DPAK (TO252) для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: -30 В
• Струм стіка: -94 А
• Потужність розсіювання: 45 Вт
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 3,2 мОм
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Основні електричні параметри

Транзистор має напругу стік-витік -30 В та струм стіка -94 А. Потужність розсіювання становить 45 Вт. Напруга затвор-витік допускає значення ±20 В, а опір у відкритому стані дорівнює 3,2 мОм.

Корпус та тип монтажу

Компонент виготовлений у корпусі DPAK, який також позначається як TO252. Це поверхневий монтаж (SMD). Заряд затвора становить 186 нКл.

Канал та заряд затвора

Транзистор має збагачуваний канал. Заряд затвора становить 186 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.