Транзистор N-MOSFET VISHAY SQ4940AEY-T1_GE3, 40V, 5.3A, SO8 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET VISHAY SQ4940AEY-T1_GE3 — це подвійний польовий транзистор у корпусі SO8 з технологією TrenchFET®. Комплект складається з 30 одиниць, призначених для SMD-монтажу.

• Напруга дрена-джерела 40 В
• Струм дрена 5,3 А
• Опір у стані провідності 29 мОм
• Корпус SO8, монтаж SMD
• Технологія TrenchFET®
• Комплект: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела 40 В та струм дрена 5,3 А. Опір у стані провідності становить 29 мОм. Максимальний імпульсний струм дрена досягає 32 А, а розсіювана потужність — 1,3 Вт.

Технологія та монтаж

Використовується технологія TrenchFET®. Корпус SO8 та тип монтажу SMD. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 43 нКл.

Транзистори VISHAY SQ4940AEY-T1_GE3 у стандартному корпусі SO8. Поларизація транзистора — уніполярна, а тип каналу — збагачуваний. Застосування компонентів охоплює автомобільну галузь. Заряд затвора становить 43 нКл.