Транзистор P-MOSFET Vishay SQ2315ES-T1_GE3, SOT23, -12В, -5А (набір 40 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SQ2315ES-T1_GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT23. Комплект складається з 40 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напруга стік-витік: -12 В
• Струм стіка: -5 А (постійний), -20 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 75 мОм
• Розсіювана потужність: 0,67 Вт
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -12 В та постійний струм стіка -5 А. У імпульсному режимі струм стіка може досягати -20 А. Напруга затвор-витік становить ±8 В, а опір у відкритому стані — 75 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі SOT23, що дозволяє використовувати його в пристроях з обмеженим простором на платі. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що забезпечує автоматизацію процесу збірки.

Потужність та заряд затвора

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 0,67 Вт. Заряд затвора дорівнює 13 нКл, що впливає на швидкість перемикання та навантаження на керуючий вузол.