Транзистор P-MOSFET VISHAY SQ2303ES-T1_GE3, 1.9 Вт, SOT23 — набір 40 шт.
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM078498
Транзистор P-MOSFET VISHAY SQ2303ES-T1_GE3, 1.9 Вт, SOT23 — набір 40 шт.В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду VISHAY, модель SQ2303ES-T1_GE3. Це уніполярний компонент із технологією TrenchFET®, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23.
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Технологія: TrenchFET®
- Корпус: SOT23
- Монтаж: SMD
- Максимальна потужність розсіювання: 1.9 Вт
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Напруга та струм
Компонент має максимальну потужність розсіювання 1.9 Вт. Згідно з даними магазину, транзистор є уніполярним (unipolarny) та має канал типу wzbogacany. Максимально допустиме напруга затвор-исток становить ±20V.
Опір та заряд
Згідно з характеристиками продавця, імпульсний струм стока — -10A. Заряд затвора становить 6.8nC. Опір у відкритому стані (Rds) зазначено як 370mΩ.
Корпус та монтаж
Товар постачається набором із 40 штук. Корпус SOT23 та тип монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.9 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 370 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴