Транзистор N/P-MOSFET Vishay SQ1539EH-T1_GE3, TrenchFET, 30 В, 1,5 Вт, комплект 40 шт.
2 380 ₴
- В наявності
- Код: TM078497
Транзистор N/P-MOSFET Vishay SQ1539EH-T1_GE3, TrenchFET, 30 В, 1,5 Вт, комплект 40 шт.В наявності
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 40 транзисторів Vishay SQ1539EH-T1_GE3 типу N/P-MOSFET. Пристрої виготовлені за технологією TrenchFET® та призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SC70-6 (SOT363).
- Комплект із 40 транзисторів
- Тип: N/P-MOSFET, TrenchFET®
- Напруга дрена-джерела: 30/-30 В
- Струм дрена: 0,85/-0,85 А
- Потужність розсіювання: 1,5 Вт
- Корпус: SC70-6 (SOT363), монтаж SMD
Напруга та струм
Транзистори мають напругу дрена-джерела 30 В (для N-каналу) та -30 В (для P-каналу). Максимальний струм дрена становить 0,85 А для N-каналу та -0,85 А для P-каналу. Потужність розсіювання дорівнює 1,5 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Опір та заряд затвора
Опір у провідному стані (Rds(on)) становить 1,8 Ом для P-каналу та 380 мОм для N-каналу. Заряд затвора (Qg) дорівнює 1,6 нКл для N-каналу та 1,4 нКл для P-каналу. Канали транзисторів є збагачуваними (enhancement mode), а полярність — уніполярною.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SC70-6, SOT363 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 380 ₴