Транзистор N-MOSFET Vishay SQ1470AEH-T1_GE3, 30 В, 1,7 А, SOT363 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SQ1470AEH-T1_GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SC70-6 (SOT363). Максимальна напруга дренаж-джерело становить 30 В, а постійний струм дренажу — 1,7 А.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Технологія: TrenchFET®
• Напруга дренаж-джерело: 30 В
• Струм дренажу: 1,7 А (імпульсний 6,7 А)
• Корпус: SC70-6 (SOT363), монтаж SMD
• Набір: 30 шт.

Потужність та опір

Опір у стані провідності дорівнює 0,115 Ом, що мінімізує втрати енергії під час роботи. Максимальна розсіювана потужність становить 3,3 Вт, що визначає тепловий режим компонента. Заряд затвора 5,2 нКл впливає на швидкість перемикання транзистора.

Напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дренаж-джерело до 30 В. Постійний струм дренажу становить 1,7 А, а імпульсний може досягати 6,7 А. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±12 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі SC70-6 (SOT363). Технологія монтажу SMD дозволяє розміщувати транзистор безпосередньо на поверхні друкованої плати. Це економить місце та спрощує автоматизований монтаж. Товар постачається набором із 30 транзисторів, що зручно для серійного виробництва.