Транзистор N-MOSFET Infineon SPW35N60C3, 650В, 21,9А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon SPW35N60C3 — це набір із 5 потужних напівпровідникових приладів для електронних схем. Модель виготовлена за технологією CoolMOS™ у корпусі PG-TO247-3, що забезпечує ефективне розсіювання тепла та стабільну роботу під навантаженням.

• Напруга стік-витік: 650 В
• Струм стоку: 21,9 А
• Потужність розсіювання: 313 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,1 Ом
• Технологія: CoolMOS™
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Потужність та надійність

Транзистор розрахований на робочу напругу 650 В та струм стоку 21,9 А, що дозволяє використовувати його в силових перетворювачах. Максимальна потужність розсіювання становить 313 Вт, що гарантує стійкість до перевантажень у складних умовах експлуатації.

Технологія CoolMOS™

Використання технології CoolMOS™ забезпечує низький опір у відкритому стані (0,1 Ом), що зменшує втрати енергії та нагрівання компонента. Це критично важливо для підвищення ККД пристроїв та збільшення їхнього ресурсу.

Зручний монтаж

Компоненти мають вивідний монтаж (THT) у корпусі PG-TO247-3, що спрощує пайку та інтеграцію в друковані плати. Такий формат корпусу є стандартом для силових транзисторів, забезпечуючи надійний контакт із радіатором.

Універсальне застосування в силових схемах

Транзистор має збагачений канал та є уніполярним, що робить його придатним для широкого спектру імпульсних джерел живлення та інверторів. Напруга затвор-витік ±20 В дозволяє використовувати стандартні драйвери затвора без додаткових обмежень. Така конфігурація забезпечує стабільну роботу в схемах із високочастотним перемиканням.