Транзистор N-MOSFET Infineon SPW20N60S5, 600В, 13А, 208Вт, PG-TO247-3 (5 шт.)
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM078489
Транзистор N-MOSFET Infineon SPW20N60S5, 600В, 13А, 208Вт, PG-TO247-3 (5 шт.)В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon SPW20N60S5 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 13 А. Комплект складається з 5 елементів у корпусі PG-TO247-3 для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дренаж-виток: 600 В
- Струм дренажу: 13 А
- Розсіювана потужність: 208 Вт
- Корпус: PG-TO247-3 (монтаж THT)
- Технологія: CoolMOS™
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює при напрузі дренаж-виток 600 В та струмі дренажу 13 А. Розсіювана потужність становить 208 Вт, а опір у стані провідності — 0,19 Ом.
Технологія та монтаж
Виріб виготовлений за технологією CoolMOS™. Корпус PG-TO247-3 призначений для вивідного монтажу (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 208 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴