Транзистор N-MOSFET Infineon SPW17N80C3, 800В, 11А, PG-TO247-3 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon SPW17N80C3 — це напівпровідниковий прилад із технологією CoolMOS™, призначений для використання в електронних схемах.## Зручний монтаж та корпус

• Напруга дрена-джерела: 800 В
• Струм дрена: 11 А
• Потужність розсіювання: 227 Вт
• Опір у стані провідності: 0,29 Ом
• Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В та струм дрена 11 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у високовольтних схемах, де потрібна надійна ізоляція та стабільна робота під навантаженням.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна потужність розсіювання становить 227 Вт. Це значення важливе для проєктування системи охолодження, оскільки дозволяє транзистору витримувати високі теплові навантаження без ризику перегріву та виходу з ладу.

Технологія CoolMOS™

Використання технології CoolMOS™ забезпечує низький опір у стані провідності 0,29 Ом. Завдяки цьому зменшуються втрати енергії на нагрівання компонента, що підвищує загальний ККД пристрою та покращує його енергоефективність.

Уніполярна структура та керування затвором

Транзистор має уніполярну структуру з каналом збагачення. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає вимоги до схеми керування та рівня сигналу на затворі для надійного відкривання приладу.