Транзистор P-MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, -60В, -80А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

P-MOSFET транзистор Infineon SPP80P06PHXKSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Транзистор розрахований на струм до -80 А та напругу -60 В. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі PG-TO220-3.

• Струм стоку до -80 А
• Напруга стік-виток -60 В
• Розсіювана потужність 340 Вт
• Опір у відкритому стані 23 мОм
• Корпус PG-TO220-3, монтаж THT
• Набір із 10 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор здатний розсіювати потужність до 340 Вт, що дозволяє використовувати його в схемах із високими енергетичними навантаженнями. Максимальний струм стоку становить -80 А.

Електричні характеристики

Напруга затвор-виток (Gate-Source) може досягати ±20 В, що визначає діапазон керуючих сигналів. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 23 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3. Монтаж здійснюється в отвори (THT). Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™.

Товар постачається набором із 10 штук.