Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N60S5, 600В, 20А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N60S5 — це уніполярний компонент із технологією CoolMOS™, призначений для роботи під напругою до 600 В та струмом до 20 А. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO220-3 для монтажу на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачувальний канал
• Напруга стік-виток: 600 В
• Струм стоку: 20 А
• Потужність розсіювання: 208 Вт
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Технічні параметри

Пристрій є N-канальним MOSFET збагачувального типу. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 600 В, а постійний струм стоку — 20 А. Потужність розсіювання дорівнює 208 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PG-TO220-3. Монтаж виконується методом THT (through-hole technology), тобто виводи вставляються в отвори на друкованій платі та припаюються з іншого боку.

Комплектація

У наборі постачається 5 транзисторів. Максимальна напруга між вентилем та витоком становить ±20 В, а опір у відкритому стані — 0,19 Ом.