Транзистор N-MOSFET Infineon SPP17N80C3, 800В, 11А, 208Вт, PG-TO220-3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon SPP17N80C3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, розроблений для ефективної комутації високої напруги. Комплект із 20 одиниць у корпусі PG-TO220-3 забезпечує надійну роботу в силових електронних схемах із номінальною напругою 800 В та струмом 11 А.

• Технологія CoolMOS™ для мінімізації втрат
• Номінальна напруга 800 В для високовольтних схем
• Струм стоку 11 А та потужність розсіювання 208 Вт
• Низький опір провідності 0,29 Ом
• Корпус PG-TO220-3 із монтажем THT
• Комплект із 20 транзисторів

Технологія CoolMOS™ для високої ефективності

Використання технології CoolMOS™ дозволяє досягти низького опору в стані провідності 0,29 Ом, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента. Це критично важливо для імпульсних джерел живлення та інверторів, де навіть незначне зменшення втрат підвищує загальний ККД пристрою. Стабільні параметри при напрузі затвор-виток ±20 В гарантують надійне керування транзистором у складних умовах експлуатації.

Потужність та надійність у корпусі PG-TO220-3

Транзистор здатний розсіювати потужність до 208 Вт, що робить його придатним для високонавантажених застосувань без необхідності складних систем охолодження. Корпус PG-TO220-3 із монтажем THT (скрізь отвори) забезпечує механічну міцність та простоту паяння на друкованих платах. Таке рішення ідеально підходить для промислового обладнання та силових модулів, де важлива довговічність з'єднань.

Надійне керування та стабільність параметрів

Допустима напруга затвор-виток ±20 В гарантує стабільну роботу транзистора при різних режимах керування. Канал збагачення забезпечує надійне закриття приладу, що важливо для безпеки силових схем. Уніполярна структура спрощує розрахунок драйверів та зменшує кількість зовнішніх компонентів у вузлі.