Транзистор N-MOSFET Infineon SPP11N80C3, 800В, 11А, 156Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)
2 180 ₴
- В наявності
- Код: TM037054
Транзистор N-MOSFET Infineon SPP11N80C3, 800В, 11А, 156Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon SPP11N80C3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах.Набір із 10 штук
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 11 А
- Потужність розсіювання: 156 Вт
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™
- Комплектація: набір із 10 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 800 В та струм дрена 11 А. Потужність розсіювання становить 156 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,45 Ом, а допустима напруга на затворі — ±20 В.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі PG-TO220-3. Тип монтажу — вивідний (THT), призначений для монтажу в отвори друкованих плат. Використовується технологія CoolMOS™.
Транзистор призначений для використання в електронних схемах. Комплект поставки: 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 156 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 180 ₴