Транзистор N-MOSFET Infineon SPP08N80C3, 800В, 8А, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon SPP08N80C3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 8 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі PG-TO220-3 з технологією CoolMOS™.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 800 В
• Постійний струм стіка: 8 А
• Потужність розсіювання: 104 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,65 Ом
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Напруга та струм

Прилад має максимальну напругу стік-виток 800 В та постійний струм стіка 8 А. Потужність розсіювання становить 104 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 0,65 Ом. Напруга затвор-виток обмежена ±20 В, що визначає умови керування транзистором.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі PG-TO220-3, призначеному для вивідного монтажу (THT). Таке виконання забезпечує зручне встановлення на друковані плати та ефективне відведення тепла завдяки конструкції корпусу.

Технологія CoolMOS™

Виріб виготовлений за технологією CoolMOS™, що є власним рішенням виробника Infineon Technologies.## Комплектація