Транзистор N-MOSFET Infineon SPB17N80C3, 800 В, 17 А, 227 Вт, PG-TO263-3, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon SPB17N80C3 — це напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO263-3 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 5 однакових транзисторів, що реалізовані за технологією CoolMOS™.

• Тип: N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 17 А
• Потужність розсіювання: 227 Вт
• Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
• Технологія: CoolMOS™
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, а струм стоку — 17 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 227 Вт. Ці характеристики визначають робочий діапазон компонента в електричних схемах.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PG-TO263-3, що призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Технологія та комплектація

Транзистори виготовлені за технологією CoolMOS™ від виробника Infineon Technologies. У наборі постачається 5 шт. компонентів з однаковими параметрами.