Транзистор N-MOSFET Infineon SPA17N80C3, 800В, 17А, PG-TO220-3-FP (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon SPA17N80C3 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 17 А. Товар поставляється комплектом із 5 штук у корпусі PG-TO220-3-FP для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 800 В
• Струм дрена: 17 А
• Потужність розсіювання: 42 Вт
• Опір у стані провідності: 0,29 Ом
• Корпус: PG-TO220-3-FP, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Прилад має максимальну напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 17 А. Потужність розсіювання становить 42 Вт, а опір у стані провідності — 0,29 Ом. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі PG-TO220-3-FP. Тип монтажу THT (through-hole technology) дозволяє встановлювати компонент безпосередньо в отвори друкованих плат.

Технологія та комплектація

Виріб виготовлений за технологією CoolMOS™, що є власним рішенням виробника Infineon. У комплекті постачається 5 транзисторів.