Транзистор N-MOSFET Infineon SPA11N80C3, 800V, 11A, PG-TO220-3-FP (набір 10 шт.)
2 800 ₴
- В наявності
- Код: TM037053
Транзистор N-MOSFET Infineon SPA11N80C3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 11 А. Товар постачається набором із 10 одиниць у корпусі PG-TO220-3-FP для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 11 А
- Розсіювана потужність: 34 Вт
- Корпус: PG-TO220-3-FP, монтаж THT
- Комплектація: набір із 10 шт.
Потужність та струм
Прилад працює з напругою дрена-джерела 800 В та витримує струм дрена 11 А. Максимальна розсіювана потужність становить 34 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 0,45 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, що визначає умови керування транзистором.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™, що впливає на його характеристики. Фізичний корпус PG-TO220-3-FP призначений для вивідного монтажу (THT) на друковану плату. Таке виконання забезпечує стандартне розміщення компонента в електронних схемах.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 34 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3-FP |
| Технологія | CoolMOS™ |
- Ціна: 2 800 ₴