Транзистор N-MOSFET ROHM SEMICONDUCTOR SP8K32HZGTB, 60В, 4,5А, SOP8 (набір 10 шт.)

Дуальний N-MOSFET транзистор ROHM SEMICONDUCTOR SP8K32HZGTB у корпусі SOP8. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та розрахований на напругу 60 В і струм 4,5 А.## Комплектація

• Тип: N-MOSFET x2 (подвійний транзистор)
• Напруга дренаж-джерело: 60 В
• Струм дренажу: 4,5 А (імпульсний до 18 А)
• Корпус: SOP8, монтаж SMD
• Опір у стані провідності: 77 мОм
• У комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу дренаж-джерело 60 В та постійний струм дренажу 4,5 А. Імпульсний струм може досягати 18 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Потужність розсіювання становить 2 Вт, а опір у стані провідності — 77 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOP8, що забезпечує компактність на платі. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що є стандартом для сучасної електроніки. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.

Тип каналу та полярність

Транзистор є уніполярним із каналом збагачення (enhancement mode). Це означає, що пристрій закритий при нульовій напрузі на затворі та відкривається при подачі керуючого сигналу. Номінальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу.