
Транзистор ONSEMI SMUN5111DW1T1G, PNP x2, SMD, 50В, 0,1А, 80 шт.
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM078141
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI SMUN5111DW1T1G — це комплект із 80 біполярних транзисторів типу PNP (подвійні) у корпусі SMD. Призначений для монтажу на поверхню плати, має максимальну напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А.
- Комплект із 80 транзисторів
- Тип: біполярний, PNP x2, BRT
- Корпус: SMD (SC70-6, SC88, SOT363)
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,25 Вт
- Резистори бази та емітера-бази: 10 кОм
Технічні характеристики
Компонент є біполярним транзистором типу BRT (Bias Resistor Transistor) з двома PNP-структурами. Максимальна розсіювана потужність становить 0,25 Вт. Вбудовані резистори бази та емітера-бази мають номінальний опір 10 кОм.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у поверхневому корпусі SC70-6 (також відомому як SC88 або SOT363). Такий формат забезпечує компактне розміщення на друкованих платах та автоматизований монтаж методом SMD.
Комплектація
У пакуванні міститься 80 одиниць транзисторів SMUN5111DW1T1G.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.25 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴
