
Транзистор ONSEMI SMMUN2233LT1G NPN, SOT23, 50V, 0,1A (набір 150 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM078123
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI SMMUN2233LT1G — це біполярний NPN-транзистор у корпусі SOT23, призначений для поверхневого монтажу (SMD). Ця пропозиція включає набір із 150 одиниць.
- Тип транзистора: NPN, біполярний, BRT
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,246 Вт
- Вбудовані резистори: база 4,7 кОм, емітер-база 47 кОм
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Технічні характеристики
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,246 Вт. Пристрій є біполярним транзистором типу BRT (Bias Resistor Transistor), що означає наявність вбудованих резисторів у корпусі.
Вбудовані резистори
У конструкції транзистора передбачено резистор бази опором 4,7 кОм та резистор емітер-база опором 47 кОм. Це означає наявність вбудованих резисторів у корпусі.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 (TO236AB) для технології поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.246 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴
