Транзистор ONSEMI SMMUN2213LT1G — це біполярний NPN-транзистор із вбудованими резисторами (BRT), призначений для поверхневого монтажу (SMD). Товар постачається у комплекті зі 150 одиниць у корпусі SOT23/TO236AB.
- Тип транзистора: NPN, біполярний, BRT (з вбудованими резисторами)
- Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,246 Вт
- Корпус: SOT23, TO236AB (монтаж SMD)
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,246 Вт. Вбудовані резистори бази та емітера-бази мають номінал 47 кОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 (TO236AB) для технології SMD.
Застосування та застосування в автопромисловості
Згідно з даними виробника, транзистор призначений для застосування в автопромисловості. У набір входить 150 транзисторів.
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.246 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-еммітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхневий |
| Тип транзизора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴

