Транзистор NPN ONSEMI SMMBTA06LT1G, 80В, 0,5А, SOT23 (набір 150 шт.)
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM036971
Транзистор NPN ONSEMI SMMBTA06LT1G, 80В, 0,5А, SOT23 (набір 150 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Біполярний транзистор NPN-структури від виробника ONSEMI, модель SMMBTA06LT1G. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23 (TO236AB). Поставляється комплектом із 150 одиниць.
- Тип структури: NPN, біполярний
- Максимальна напруга колектор-емітер: 80 В
- Струм колектора: 0,5 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Гранична частота: 100 МГц
- Коефіцієнт підсилення (hFE): 100
- Кількість у наборі: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 80 В та струм колектора 0,5 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) дорівнює 100.
Частотні характеристики та монтаж
Гранична частота переходу становить 100 МГц. Компонент виконаний у корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Увага: товар є набором, що містить 150 транзисторів SMMBTA06LT1G. Застосування: автомобільна промисловість.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 80 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.5 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴