Транзистор N-JFET ONSEMI SMMBF4393LT1G, SOT23, 30V, 30mA (комплект 30 шт.)

Транзистор N-JFET ONSEMI SMMBF4393LT1G — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 30 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту плат. Основні параметри: напруга 30 В, струм 30 мА та потужність 225 мВт.

• Тип транзистора: N-JFET, уніполярний
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
• Струм дрена: 30 мА
• Потужність розсіювання: 225 мВт
• Опір у стані провідності: 100 Ом
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, призначеному для технології поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах з високою щільністю трасування без використання отворів для виводів.

Комплектація

У пакеті постачання міститься 30 транзисторів моделі SMMBF4393LT1G. Така кількість підходить для заміни компонентів у партії пристроїв або для створення невеликої серії електронних модулів.

Струм затвора та опір у провідності

Струм затвора (Igt) становить 50 мА, що визначає керуючі характеристики приладу. Опір у стані провідності дорівнює 100 Ом, що впливає на втрати при відкритому каналі. Ці параметри важливі для розрахунку режимів роботи схеми та оцінки нагрівання компонента під навантаженням.