Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12V, 400A, 1200V, корпус SEMITRANS3 (SKM400GB12V 22892083)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12V — це напівпровідниковий компонент у корпусі SEMITRANS3 з номінальним струмом колектора 400 А та напругою 1200 В. Призначений для потужних електронних систем, де важлива надійність та висока ефективність перетворення енергії.

• Номінальний струм колектора 400 А
• Максимальна зворотна напруга 1200 В
• Корпус SEMITRANS3
• Топологія напівмосту IGBT
• Застосування в UPS, інверторах та фотоелектриці
• Монтаж: болтовий та конектори FASTON

Потужність та напруга

Модуль забезпечує номінальний струм колектора 400 А та максимальну зворотну напругу 1200 В. Це дозволяє використовувати його в промислових інверторах та системах живлення з високими навантаженнями. Імпульсний струм може досягати 1200 А, що гарантує стабільну роботу при пікових навантаженнях.

Конструкція та монтаж

Компонент має топологію напівмосту IGBT та структуру «транзистор/транзистор». Механічне кріплення здійснюється за допомогою болтів (прикручуване), а електричне з'єднання можливе через конектори FASTON або болтові з'єднувачі. Корпус SEMITRANS3.

Сфера застосування

Модуль SKM400GB12V оптимізований для використання в джерелах безперебійного живлення (UPS), промислових інверторах та фотоелектричних системах. Він підходить для задач, де потрібна висока щільність потужності та надійність роботи в складних умовах експлуатації.

Цей IGBT модуль є вибором для інженерів та техніків, які розробляють або обслуговують потужне електронне обладнання, вимагаючи високої надійності та ефективності.