Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12T4, 400A, 1200V (SKM400GB12T4 22892080)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12T4 — це напівпровідниковий пристрій у корпусі SEMITRANS3, призначений для потужних електронних систем. Він забезпечує комутацію струму до 400 А при напрузі 1200 В, що робить його ключовим компонентом для інверторів та систем живлення.

• Номінальний струм колектора 400 А
• Максимальна напруга 1,2 кВ
• Імпульсний струм до 1,2 кА
• Корпус SEMITRANS3 для болтового кріплення
• Топологія напівпровідникового мосту IGBT
• Застосування: UPS, інвертори, фотовольтаїка

Потужність та надійність

Модуль працює з номінальним струмом колектора 400 А та витримує імпульсний струм до 1,2 кА. Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ, що гарантує стабільну роботу в умовах високих навантажень. Така потужність дозволяє використовувати компонент у промислових установках без ризику перевантаження.

Топологія та структура

Пристрій має топологію напівпровідникового мосту IGBT (półmostek IGBT) та структуру «транзистор/транзистор». Це означає, що всередині модуля інтегровані два IGBT-транзистори, з'єднані для ефективної комутації. Така конфігурація спрощує схемотехніку та підвищує щільність потужності.

Застосування в енергетиці

Модуль SKM400GB12T4 оптимізований для використання в джерелах безперебійного живлення (UPS), інверторах та системах фотовольтаїки. Його характеристики відповідають вимогам до обладнання, що працює з відновлюваними джерелами енергії та резервними мережами.

Монтаж та підключення

Механічне кріплення модуля виконується за допомогою болтів, що забезпечує надійний контакт із радіатором. Електричне підключення здійснюється через конектори FASTON або болтові з'єднувачі. Максимальна напруга між затвором та емітером становить ±20 В, що визначає вимоги до драйвера керування.