Транзистор IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM300GB12E4, 300 А, 1200 В, корпус SEMITRANS3 (SKM300GB12E4 22892077)

IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM300GB12E4 — це напівпровідниковий пристрій у корпусі SEMITRANS3, призначений для роботи у складних електронних системах. Він поєднує високу потужність та надійність, необхідні для промислового обладнання.

• Номінальний струм колектора 300 А для потужних навантажень
• Піковий струм у імпульсі до 900 А
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Корпус SEMITRANS3 для надійного кріплення
• Топологія half-bridge
• Застосування у UPS, інверторах та фотовольтаїці

Висока потужність та струм

Модуль забезпечує номінальний струм колектора 300 А, що дозволяє ефективно керувати значними навантаженнями. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 900 А, що важливо для стабільної роботи під час різких сплесків енергії.

Надійна ізоляція та напруга

Максимальна зворотна напруга модуля становить 1,2 кВ, що гарантує безпечну експлуатацію в мережах із високим потенціалом. Напруга між затвором та емітером обмежена ±20 В, що спрощує вибір драйверів керування та захищає вхідні ланцюги.

Гнучкість монтажу та застосування

Модуль має топологію half-bridge та структуру «транзистор/транзистор», що робить його універсальним для інверторів та джерел безперебійного живлення (UPS). Механічне кріплення виконано за допомогою болтів, а електричне з'єднання можливе через конектори FASTON або болтові з'єднувачі, що полегшує інтеграцію в різні системи.

Застосування у сучасній енергетиці

Даний модуль ідеально підходить для використання у фотовольтаїчних установках, промислових інверторах та системах UPS. Його характеристики забезпечують ефективне перетворення енергії та стабільність роботи обладнання в умовах високих навантажень.