Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM200GAL12E4, 200A, 1200V, корпус SEMITRANS3 (SKM200GAL12E4 22892304)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM200GAL12E4 — це напівпровідниковий компонент у корпусі SEMITRANS3, призначений для потужних електронних систем. Він поєднує в собі діод та транзистор, забезпечуючи ефективну роботу в схемах типу boost chopper.

• Номінальний струм колектора 200 А
• Імпульсний струм колектора до 600 А
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Корпус SEMITRANS3 для зручного монтажу
• Призначений для UPS, інверторів та фотоелектрики
• Топологія boost chopper

Потужність та напруга

Модуль розрахований на номінальний струм колектора 200 А та імпульсний струм до 600 А. Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ, що дозволяє використовувати його в високовольтних застосуваннях. Напруга між затвором та емітером обмежена ±20 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SEMITRANS3, що забезпечує зручність інтеграції в промислові пристрої. Механічне кріплення здійснюється за допомогою болтів (прикручування). Для електричного з'єднання передбачені конектори FASTON та болтові з'єднувачі.

Сфера застосування

IGBT модуль SKM200GAL12E4 оптимізований для роботи в системах безперебійного живлення (UPS), інверторах та фотоелектричних установках. Топологія boost chopper робить його придатним для підвищувальних перетворювачів напруги.

Цей модуль є надійним рішенням для інженерів, які розробляють або обслуговують потужні енергетичні системи, де важливі стабільність та висока ефективність перетворення енергії.