Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12V, 100А, 1200В, корпус SEMITRANS2 (SKM100GB12V 22892023)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12V — це напівпровідниковий компонент у корпусі SEMITRANS2, призначений для перетворення та керування електроенергією. Він поєднує два транзистори в топології напівмістка, забезпечуючи надійну роботу в промислових та енергетичних системах.

• Номінальний струм колектора 100 А
• Максимальна зворотна напруга 1200 В
• Імпульсний струм колектора до 300 А
• Корпус SEMITRANS2 для болтового монтажу
• Топологія напівмістка (транзистор/транзистор)
• Застосування: UPS, інвертори, фотовольтаїка

Потужність та напруга

Модуль розрахований на номінальний струм колектора 100 А та максимальну зворотну напругу 1200 В. Це дозволяє використовувати його в потужних інверторах та джерелах безперебійного живлення, де потрібна стабільна комутація високих струмів.

Імпульсна витримка

Завдяки здатності витримувати імпульсний струм колектора до 300 А, компонент ефективно справляється з піковими навантаженнями. Така характеристика критична для систем фотовольтаїки та промислових приводів, де можливі раптові стрибки споживання.

Конструкція та монтаж

Структура «транзистор/транзистор» у топології напівмістка спрощує схемотехніку силових каскадів. Механічне кріплення здійснюється за допомогою болтів, а електричне з'єднання передбачає використання конекторів FASTON або болтового з'єднання, що забезпечує надійний контакт.

Керування та застосування

Допустима напруга між затвором та емітером становить ±20 В, що відповідає стандартним драйверам керування IGBT. Модуль оптимізований для застосування в UPS, інверторах та сонячних електростанціях, де важливі компактність та ефективність охолодження.

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12V є вибором для інженерів та техніків, які проектують або обслуговують потужні електронні системи, що вимагають високої надійності та чітких параметрів комутації.