Модуль IGBT Semikron Danfoss SKM100GB125DN, 1200 В, 80 А (SEMITRANS2N) (SKM100GB125DN, 21915390)

Модуль IGBT Semikron Danfoss SKM100GB125DN — це напівпровідниковий компонент у корпусі SEMITRANS2N, призначений для роботи в електронних пристроях із напругою до 1200 В. Він забезпечує стабільну комутацію струму колектора 80 А та витримує імпульсні навантаження до 150 А, що робить його надійним рішенням для промислової автоматизації та енергетичних систем.

• Напівпровідниковий модуль IGBT у топології напівмосту
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Струм колектора 80 А, імпульсний струм 150 А
• Корпус SEMITRANS2N, версія D93
• Застосування: UPS, інвертори, фотовольтаїка
• Монтаж: болтовий, конектори FASTON

Внутрішня структура модуля реалізована за схемою «транзистор/транзистор» у топології напівмосту IGBT. Така конфігурація дозволяє ефективно керувати потужністю у двох напрямках, що є критично важливим для інверторів та перетворювачів частоти. Корпус SEMITRANS2N забезпечує компактне розміщення компонентів при збереженні високої надійності.

Електричні параметри

Максимальна зворотна напруга (Urmax) становить 1,2 кВ, що гарантує безпечну експлуатацію в мережах із підвищеною напругою. Номінальний струм колектора дорівнює 80 А, а максимальний імпульсний струм досягає 150 А. Напруга між затвором та емітером обмежена рівнем ±20 В, що відповідає стандартним драйверам керування IGBT.

Сфери застосування

Модуль SKM100GB125DN оптимізований для використання в системах безперебійного живлення (UPS), промислових інверторах та сонячних електростанціях (фотовольтаїка). Його характеристики дозволяють створювати ефективні та компактні силові блоки для відновлюваної енергетики та резервного живлення.

Механічне та електричне з'єднання

Монтаж модуля здійснюється за допомогою болтового з'єднання (прикручування), що забезпечує надійний контакт із радіатором та стабільну фіксацію на платі. Електричне підключення виконується через конектори FASTON, що спрощує процес складання та обслуговування обладнання.