Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKIIP 38NAB12T4V1, 1200 В, 300 А (SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490)

Напівпровідниковий модуль IGBT від бренду SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 38NAB12T4V1. Пристрій поєднує в собі діодну та транзисторну структури з максимальним струмом колектора 300 А та напругою 1,2 кВ.

• Максимальний струм колектора: 300 А
• Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
• Корпус: MiniSKiiP® 3
• Напруга затвор-емітер: ±20 В
• Тип монтажу: Press-Fit

Електричні параметри

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та максимальний допустимий струм колектора 300 А. Напруга між затвором та емітером становить ±20 В. Топологія пристрою включає buck chopper, трифазний діодний міст, трифазний IGBT-міст та термістор.

Конструкція та монтаж

Корпус модуля виконаний у стандарті MiniSKiiP® 3. Структура напівпровідника реалізована як діод/транзистор. Електричний монтаж здійснюється за технологією Press-Fit, а механічне кріплення є прикручуваним.