Модуль IGBT Semikron Danfoss SKIIP 38NAB12T4V1, 1200 В, 93 А (MiniSKiiP® 3)

Модуль IGBT Semikron Danfoss SKIIP 38NAB12T4V1 — це напівпровідниковий компонент у корпусі MiniSKiiP® 3, призначений для перетворення та керування електроенергією. Він поєднує в собі діоди та транзистори, забезпечуючи надійну роботу в складних електронних схемах.

• Потужність 22000 Вт для енергоємних додатків
• Номінальний струм 93 А та імпульсний 300 А
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Корпус MiniSKiiP® 3 для компактної інсталяції
• Монтаж Press-Fit та механічне кріплення
• Застосування в UPS, інверторах та фотоелектриці

Висока потужність та ефективність

Модуль розрахований на максимальну потужність 22000 Вт, що дозволяє використовувати його в енергоємних промислових додатках. Номінальний струм колектора становить 93 А, а імпульсний струм може досягати 300 А, що гарантує стабільну роботу під час пікових навантажень.

Надійна ізоляція та керування

Максимальна зворотна напруга модуля дорівнює 1,2 кВ, що забезпечує безпечну експлуатацію в мережах із підвищеною напругою. Напруга між затвором та емітером обмежена ±20 В, що спрощує підключення до систем керування та захищає чутливі входи.

Гнучкість монтажу та топології

Компонент підтримує технологію Press-Fit для швидкого електричного монтажу та механічне кріплення прикручуванням. Топологія включає buck chopper, трифазний діодний міст, трифазний IGBT-міст та термістор, що робить модуль універсальним для різних схем перетворення.

Застосування в енергетичних системах

Модуль ідеально підходить для інверторів, систем безперебійного живлення (UPS) та фотоелектричних установок. Його конструкція «діода/транзистор» забезпечує ефективне перетворення енергії в цих критично важливих додатках.

Структура напівпровідника та топологія з'єднань (IGBT, діодний міст, buck chopper, термістор) для гнучкого проєктування силових схем перетворення енергії в інверторах та UPS. Модуль IGBT поєднує в собі діоди та транзистори, що дозволяє реалізувати різні топології: buck chopper, трифазний діодний міст, трифазний IGBT-міст та термістор. Така структура забезпечує універсальність компонента для складних електронних схем. Завдяки цьому модуль можна використовувати в різних конфігураціях перетворення енергії без необхідності змінювати базовий компонент. Це спрощує проєктування та виробництво обладнання для енергетичних систем. Цей модуль є оптимальним рішенням для інженерів та техніків, які потребують компактного та потужного напівпровідникового компонента для промислової автоматизації та відновлюваної енергетики.