Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKIIP 12HEB066V1, 600 В, 40 А (SKIIP 12HEB066V1 25230840)

Модуль IGBT від бренду SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 12HEB066V1. Пристрій має максимальну напругу 600 В та максимальний струм колектора 40 А. Корпус: MiniSKiiP® 1.

• Максимальна напруга: 600 В
• Максимальний струм колектора: 40 А
• Корпус: MiniSKiiP® 1
• Топологія: boost chopper, однофазний та трифазний мости
• Монтаж: прикручування та Press-Fit
• Застосування: UPS, інвертори, фотоелектрика

Електричні параметри

Модуль працює з максимальною зворотною напругою 0,6 кВ (600 В). Максимально допустимий струм колектора становить 40 А. Напруга між затвором та емітером дорівнює ±20 В.

Конструкція та топологія

Внутрішня структура модуля включає діод, тиристор та IGBT-транзистор. Топологія реалізує функції boost chopper, однофазного діодно-тиристорного мосту та трифазного IGBT-мосту.

Монтаж та застосування

Механічний монтаж виконується прикручуванням, електричний — за технологією Press-Fit. Модуль застосовується в системах безперебійного живлення (UPS), інверторах та фотоелектричних установках.