Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKIIP 12HEB066V1, 600 В, 15 А (SKIIP 12HEB066V1 25230840)

Модуль IGBT від бренду SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 12HEB066V1, призначений для потужних електронних систем. Цей компонент поєднує в собі діод, тиристор та IGBT, забезпечуючи надійну роботу в схемах підвищувальних перетворювачів (boost chopper) з максимальним напругою 600 В.

• Корпус MiniSKiiP® 1 для компактної інсталяції
• Максимальна напруга 600 В (0,6 кВ)
• Номінальний струм колектора 15 А
• Імпульсний струм колектора до 40 А
• Топологія: boost chopper, діодно-тиристорний та IGBT міст
• Монтаж: прикручування та технологія Press-Fit

Топологія та структура

Внутрішня структура модуля включає діод, тиристор та IGBT, що дозволяє реалізувати складні схеми керування. Топологія пристрою охоплює boost chopper, однофазний діодно-тиристорний міст та трифазний IGBT-міст. Така комбінація компонентів робить модуль універсальним рішенням для інверторів та систем живлення.

Електричні параметри

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 0,6 кВ (600 В). Номінальний струм колектора становить 15 А, а імпульсний струм колектора досягає 40 А. Напруга між затвором та емітером обмежена значенням ±20 В, що визначає вимоги до драйверів керування.

Механічна та електрична установка

Модуль виконаний у корпусі MiniSKiiP® 1. Механічний монтаж здійснюється за допомогою прикручування. Електричне з'єднання виконується технологією Press-Fit.

Сфери застосування

Компонент рекомендований для використання в системах безперебійного живлення (UPS), інверторах та фотоелектричних установках. Завдяки своїм характеристикам, модуль ефективно працює в умовах високих навантажень та вимагає стабільної роботи електронних ключів.