Транзистор P-MOSFET Vishay SISH625DN-T1-GE3, TrenchFET, -30В, -35А, 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SISH625DN-T1-GE3 — це уніполярний компонент із технологією TrenchFET®. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі PowerPAK® 1212-8 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: -35 А (постійний), -80 А (імпульсний)
• Опір у стані провідності: 11 мОм
• Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
• Комплектація: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела -30 В та постійний струм дрена -35 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає -80 А. Максимальна розсіювана потужність становить 33 Вт, а опір у стані провідності — 11 мОм.

Технологія та керування

Компонент виготовлений за технологією TrenchFET®, що забезпечує низький опір каналу. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 126 нКл. Тип каналу — збагачуваний (enhancement mode), що є стандартним для MOSFET-транзисторів цього класу.

Монтаж та корпус

Транзистор виконаний у корпусі PowerPAK® 1212-8, який оптимізований для поверхневого монтажу (SMD).