Транзистор P-MOSFET VISHAY SISA35DN-T1-GE3, 30 шт., PowerPAK 1212-8
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM077494
Транзистор P-MOSFET VISHAY SISA35DN-T1-GE3, 30 шт., PowerPAK 1212-8В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET VISHAY SISA35DN-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі PowerPAK® 1212-8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: -30 В
- Струм стіка: -16 А (постійний), -50 А (імпульсний)
- Опір у відкритому стані: 30 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік -30 В та постійний струм стіка -16 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до -50 А. Напруга затвор-витік становить ±20 В.
Опір та теплові характеристики
Опір у відкритому стані становить 30 мОм. Прилад має розсіювану потужність 15 Вт. Заряд затвора дорівнює 42 нКл.
Корпус та монтаж SMD
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 15 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴