Транзистор N-MOSFET VISHAY SIS892ADN-T1-GE3, 100В, 28А, 52Вт (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET VISHAY SIS892ADN-T1-GE3 — це уніполярний компонент із технологією TrenchFET®, призначений для ефективної комутації в електронних схемах. Комплект із 20 штук забезпечує необхідну кількість елементів для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Струм стоку 28 А для потужних навантажень
• Розсіювання потужності 52 Вт
• Низький опір у відкритому стані 47 мОм
• Напруга стік-витік 100 В
• Компактний корпус PowerPAK® 1212-8 (SMD)
• Комплект із 20 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальний струм стоку 28 А та розсіювання потужності до 52 Вт. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високим навантаженням, де важлива стабільність роботи під час тривалих навантажень.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить лише 47 мОм. Таке значення мінімізує теплові втрати на компоненті, що підвищує загальний ККД пристрою та зменшує потребу в потужному охолодженні.

Компактний корпус для SMD монтажу

Компонент виконаний у корпусі PowerPAK® 1212-8 із типом монтажу SMD. Це дозволяє економити місце на друкованій платі та забезпечує автоматизоване встановлення, що є критичним для сучасних компактних електронних пристроїв.

Надійна ізоляція та керування

Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Заряд затвора 6,1 нКл забезпечує швидке перемикання, що важливо для імпульсних джерел живлення та інверторів. Канал транзистора є збагачуваним, що гарантує надійне закриття при відсутності напруги на затворі.