Транзистор N-MOSFET VISHAY SIS412DN-T1-GE3, 30В, 12А, PowerPAK 1212-8 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET VISHAY SIS412DN-T1-GE3 — це уніполярний компонент із технологією TrenchFET®, призначений для роботи з напругою до 30 В та струмом 12 А.## Комплектація

• Струм дрена 12 А (імпульсний 30 А)
• Напруга дрена-джерела 30 В
• Опір у відкритому стані 24 мОм
• Корпус PowerPAK® 1212-8 для SMD монтажу
• Технологія TrenchFET®
• Комплект: 30 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор має канал збагачення та витримує напругу дрена-джерела 30 В. Максимальний постійний струм дрена становить 12 А, а імпульсний струм може досягати 30 А. Опір у відкритому стані дорівнює 24 мОм, що забезпечує ефективне проходження струму.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у компактному корпусі PowerPAK® 1212-8, що дозволяє економити місце на платі. Призначений для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва.

Потужність та керування

Заряд затвора становить 12 нКл, а максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±20 В. Ці параметри визначають умови керування транзистором у схемах живлення та комутації. Максимальна розсіювана потужність становить 10 Вт, що вимагає відповідного відведення тепла від корпусу.