Транзистор N-MOSFET Vishay SIS406DN-T1-GE3, 30В, 12,2А, PowerPAK 1212-8 (20 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM036820
Транзистор N-MOSFET Vishay SIS406DN-T1-GE3, 30В, 12,2А, PowerPAK 1212-8 (20 шт.)В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIS406DN-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Розрахований на напругу до 30 В та струм стоку 12,2 А. Поставляється комплектом із 20 штук у корпусі PowerPAK® 1212-8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 30 В
- Струм стоку: 12,2 А (імпульсний до 50 А)
- Опір у відкритому стані: 14,5 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
- Комплектація: 20 штук
Електричні параметри
Транзистор працює при напрузі стік-витік 30 В та витримує імпульсний струм стоку до 50 А. Номінальний постійний струм становить 12,2 А, а опір у відкритому стані — 14,5 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 2,3 Вт, а заряд затвора — 28 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент розміщений у корпусі PowerPAK® 1212-8. Використовується технологія TrenchFET®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴