Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-GE3, 30В, 100А, PowerPAK SO8 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, розроблений для комутації струмів до 100 А при напрузі 30 В. Пристрій виготовлений за технологією TrenchFET® у корпусі PowerPAK® SO8 для поверхневого монтажу (SMD).

• Струм стоку 100 А, імпульсний струм 400 А
• Напруга стік-витік 30 В
• Опір відкритого каналу 1,15 мОм
• Корпус PowerPAK® SO8, монтаж SMD
• Технологія TrenchFET®
• Комплект із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор витримує постійний струм стоку 100 А та імпульсний струм до 400 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими вимогами до комутаційної потужності. Максимальна розсіювана потужність становить 66,6 Вт.

Низький опір відкритого каналу

Опір у стані провідності дорівнює 1,15 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Такий низький опір критично важливий для ефективної роботи силових ключів у схемах із високим струмом.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PowerPAK® SO8. У комплекті постачається 10 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.