Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA52ADP-T1-RE3, 40В, 105А, PowerPAK SO8 (20 шт.)
2 530 ₴
- В наявності
- Код: TM036818
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA52ADP-T1-RE3, 40В, 105А, PowerPAK SO8 (20 шт.)В наявності
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA52ADP-T1-RE3 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PowerPAK® SO8 для монтажу SMD. Комплект складається з 20 одиниць.
- Струм дрена 105 А, у імпульсі 200 А
- Напруга дрена-джерела 40 В
- Опір у стані провідності 2,3 мОм
- Корпус PowerPAK® SO8, монтаж SMD
- Технологія TrenchFET®
- Комплект: 20 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор має напругу дрена-джерела 40 В та постійний струм дрена 105 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 200 А. Опір у стані провідності становить 2,3 мОм.
Корпус та монтаж
Прилад виготовлений за технологією TrenchFET®. Монтаж здійснюється методом SMD у корпусі PowerPAK® SO8. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 30,7 Вт, а заряд затвора — 0,1 мкКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 30.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 105 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 530 ₴