Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA14DP-T1-GE3, 30В, 46А, TrenchFET, 20 шт.
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM077492
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA14DP-T1-GE3, 30В, 46А, TrenchFET, 20 шт.В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA14DP-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із технологією TrenchFET® у корпусі PowerPAK® SO8. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 46 А
- Потужність розсіювання: 20 Вт
- Технологія TrenchFET®
- Корпус PowerPAK® SO8
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В, а максимальний струм стоку — 46 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 20 Вт. Ці характеристики визначають робочий діапазон компонента в електричних схемах.
Імпульсний струм та заряд затвора
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm) становить 130 А, що визначає пікові навантаження. Заряд затвора дорівнює 29 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Компонент виготовлений за технологією TrenchFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 46 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴