Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA10DP-T1-GE3, 30В, 60А, PowerPAK SO8, комплект 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA10DP-T1-GE3 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією TrenchFET®, призначений для комутації струму до 60 А при напрузі 30 В. Комплект із 20 штук забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.

• Струм стоку 60 А для потужних силових ланцюгів
• Імпульсний струм до 140 А для пікових навантажень
• Низький опір у відкритому стані 5 мОм зменшує нагрівання
• Технологія TrenchFET® забезпечує ефективну комутацію
• Компактний корпус PowerPAK® SO8 для SMD монтажу
• Комплект із 20 штук зручний для серійного складання

Висока струмова навантаженість

Прилад розрахований на постійний струм стоку 60 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із значним споживанням. Імпульсний струм може досягати 140 А, що важливо для пускових режимів або короткочасних пікових навантажень. Така характеристика робить транзистор придатним для керування потужними навантаженнями без ризику миттєвого виходу з ладу.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить всього 5 мОм. Це мінімізує теплові втрати на компоненті під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою та зменшує потребу в громіздкому охолодженні. Низький опір особливо критичний у схемах із високим струмом, де навіть незначне нагрівання може вплинути на стабільність роботи.

Компактний корпус для монтажу на поверхню

Транзистор виконаний у корпусі PowerPAK® SO8 із технологією монтажу SMD. Це дозволяє розміщувати компонент на друкованих платах із високою щільністю трасування. Компактні розміри економлять місце на платі, що є перевагою для компактних пристроїв та сучасних електронних модулів.

Зручний комплект для виробництва

У пакуванні міститься 20 транзисторів. Така кількість зручна для прототипування, дрібносерійного виробництва або складання кількох пристроїв одночасно. Використання готового набору спрощує процес закупівлі компонентів для інженерних задач.