Транзистор N-MOSFET Vishay SIR626LDP-T1-RE3, 60В, 186А, PowerPAK SO8, комплект 20 шт.
3 600 ₴
- В наявності
- Код: TM020491
Транзистор N-MOSFET Vishay SIR626LDP-T1-RE3, 60В, 186А, PowerPAK SO8, комплект 20 шт.В наявності
3 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIR626LDP-T1-RE3 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією TrenchFET®,. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі PowerPAK® SO8, для монтажу на друковані плати.
- Струм стоку 186 А та імпульсний струм 400 А
- Низький опір у відкритому стані 2,1 мОм
- Розсіювана потужність 104 Вт
- Корпус PowerPAK® SO8 для монтажу SMD
- Комплект із 20 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Прилад розрахований на постійний струм стоку 186 А та імпульсний струм до 400 А, Максимальна напруга стік-витік становить 60 В.
Ефективність та тепловіддача
Технологія TrenchFET® забезпечує низький опір у відкритому стані 2,1 мОм, Максимальна розсіювана потужність становить 104 Вт.
Зручність монтажу та комплектація
Компонент виконаний у корпусі PowerPAK® SO8 із технологією монтажу SMD, У комплекті постачається 20 транзисторів. Полярність unipolarny (уніполярний) та канал типу wzbogacany (збагачений) з напругою затвор-витік ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 104 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 186 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 600 ₴