Транзистор N-MOSFET Vishay SIR622DP-T1-RE3, 150В, 51,6А, PowerPAK SO8 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIR622DP-T1-RE3 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією TrenchFET®, призначений для комутації та керування потужністю в електронних схемах. Модель розрахована на напругу 150 В та струм стоку 51,6 А.

• Струм стоку 51,6 А та імпульсний струм 100 А
• Потужність розсіювання 104 Вт
• Опір у відкритому стані 20,4 мОм
• Корпус PowerPAK® SO8 із SMD-монтажем
• Технологія TrenchFET®
• Комплект із 20 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистор здатний розсіювати потужність до 104 Вт. Номінальний струм стоку становить 51,6 А, а імпульсний струм може досягати 100 А. Опір у відкритому стані становить 20,4 мОм.

Технологія TrenchFET® та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET® та має заряд затвора 41 нКл. Компонент виконаний у корпусі PowerPAK® SO8 із поверхневим монтажем (SMD). Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 150 В. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Заряд затвора становить 41 нКл.

Транзистор Vishay SIR622DP-T1-RE3 у комплекті з 20 шт. підходить для розробки та ремонту електронних пристроїв.