Транзистор N-MOSFET Vishay SIR422DP-T1-GE3, 40V, 40A, PowerPAK SO8 (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIR422DP-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, призначений для комутації в електронних схемах. Модель виготовлена за технологією TrenchFET® у компактному корпусі PowerPAK® SO8, що забезпечує ефективне відведення тепла та зручний монтаж SMD. Комплект складається з 20 одиниць,.

• Струм стоку 40 А, імпульсний струм 70 А
• Низький опір каналу 6,6 мОм
• Розсіювана потужність 22,2 Вт у корпусі PowerPAK® SO8
• Технологія TrenchFET®
• Комплект із 20 транзисторів
• Напруга стік-витік 40 В та напруга затвор-витік ±20 В

Висока струмова навантаженість

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 40 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високим споживанням. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 70 А.

Низький опір у відкритому стані

Опір каналу у стані провідності становить всього 6,6 мОм. Це мінімізує втрати потужності на нагрівання та підвищує загальний ККД пристрою.

Ефективне відведення тепла

Корпус PowerPAK® SO8 та технологія TrenchFET® сприяють кращому розсіюванню тепла. Максимальна розсіювана потужність становить 22,2 Вт, що дозволяє транзистору працювати стабільно навіть під значним навантаженням. Компактні розміри корпусу економлять місце на друкованій платі.

Зручність монтажу та комплектація

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію процесу збірки. У комплекті постачається 20 транзисторів. Напруга затвор-витік становить ±20 В.