Транзистор N-MOSFET Vishay SIR186LDP-T1-RE3, 60В, 80,3А, PowerPAK SO8 (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIR186LDP-T1-RE3 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PowerPAK® SO8 для SMD-монтажу. Комплект із 20 штук забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту плат. Висока струмова навантаженість до 80,3 А та низький опір у відкритому стані дозволяють ефективно керувати потужними навантаженнями.

• Струм стоку 80,3 А для потужних навантажень
• Імпульсний струм до 150 А
• Низький опір у відкритому стані 6,3 мОм
• Корпус PowerPAK® SO8 для SMD-монтажу
• Комплект із 20 транзисторів
• Технологія TrenchFET®

Висока струмова навантаженість

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 80,3 А, що робить його придатним для живлення потужних споживачів. Імпульсний струм може сягати 150 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження без пошкодження компонента. Це важливо для систем, де споживання енергії різко зростає під час запуску двигунів або зарядки акумуляторів.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 57 Вт, що вимагає належного теплового режиму на платі. Низький опір у стані провідності 6,3 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Така ефективність критична для компактних пристроїв із обмеженим простором для охолодження.

Зручний монтаж та технологія

Компонент виготовлений за технологією TrenchFET®, що забезпечує оптимальні комутаційні характеристики. Корпус PowerPAK® SO8 призначений для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизоване виробництво. Напруга затвор-витік ±20 В дозволяє використовувати стандартні драйвери затвора без додаткових рівнів напруги.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів, що зручно для заміни партії компонентів або створення невеликої серії пристроїв. Така кількість мінімізує ризик нестачі деталей під час складання та забезпечує запас для тестування.