Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP24N80AEF-GE3, 800В, 20А, TO220AB (5 шт.)
2 180 ₴
- В наявності
- Код: TM036809
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP24N80AEF-GE3, 800В, 20А, TO220AB (5 шт.)В наявності
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 потужних польових транзисторів N-MOSFET від виробника Vishay. Модель SIHP24N80AEF-GE3 призначена для роботи з високою напругою до 800 В та струмом до 20 А у корпусі TO220AB.
- Напруга дрена-джерела 800 В
- Струм дрена 20 А (імпульсний 46 А)
- Потужність розсіювання 208 Вт
- Опір у стані провідності 0,195 Ом
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- У комплекті 5 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В. Номінальний струм дрена становить 20 А, а імпульсний струм може досягати 46 А.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 208 Вт. Опір у стані провідності становить 0,195 Ом. Компонент виконаний у корпусі TO220AB.
Монтаж та комплектація
Монтаж здійснюється в отвори (THT). У комплекті постачається 5 транзисторів. Допустима напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 208 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 195 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 180 ₴